Типы оперативной памяти для компьютера. Обзор и характеристики разных типов динамических ОЗУ, разница между модулями памяти DDR3 и DDR3L.
Описание DDR3 SDRAM
- Напряжение питания микросхем: 1,5 В +/- 0,1 В.
- Потребляемая мощность: 99 мВт.
- Модуль памяти DDR3 имеет 240 контактов.
Модули DDR3 не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически, ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2. В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.
Источник: http://2hpc.ru/ddr3-sdram/
Характеристики
| Комментарий юмориста не предназначен для выбора товара* |
Данию прославили на весь мир прежде всего слова Гамлета: «Неладно что-то в датском королевстве». По крайней мере, у берегов Дании действительно встречается нечто необычное. В районе маленького городка Скаген можно наблюдать, как встречаются два морских течения, образуя в воде чёткую границу. Удивляет это только туристов, а вот местные жители давно привыкли к этому морскому пограничью. Среди самых бывалых жителей городка распространено поверье, что как модуль памяти Original SAMSUNG DDR-III DIMM 2Gb от НИКСа ускоряет работу компьютера, так вблизи границы течений начинает тихо закипать разбавленная пивом водка, а из морской пучины выходит тень постового. Через короткое время пиво полностью отделяется от водки, а тень не успокаивается, пока не откусит кусочек тени разбавителя. Страшно, аж жуть!
Дефенсор Венериум |
| Предупреждения | |
| ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ | Модули памяти Samsung не разделены по коду, поэтому при покупке выдается модуль соответствующий наименованию. Например, Samsung DDR RDIMM 2Gb ECC. Товар может не соответствовать фотографии по коду и количеству чипов. Если требуется модуль памяти с определенным Memory Rank, рекомендуем обратить внимание на модули с кодом. Например, Kingston, Crucial или Corsair и проверить наличие необходимой характеристики в описании товара. |
| Основные характеристики | |
| Производитель | SAMSUNG |
| Тип оборудования | Модуль памяти DDR3 |
| Объем модуля памяти | 2 Гбнайти похожую память |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Производительность | |
| Частота функционирования | до 1333 МГц |
| Стандарт памяти | PC3-10600 (DDR3 1333 МГц) |
| Пропускная способность памяти | 10667 Мб/сек |
| Конфигурация | |
| Напряжение питания | 1.5 В (DDR3) |
| Логистика | |
| Размеры упаковки (измерено в НИКСе) | 13.3 x 3 x 0.3 см |
| Вес брутто (измерено в НИКСе) | 0.017 кг |
| Внешние источники информации | |
| Горячая линия производителя | 8-800-555-55-55 — бесплатный звонок из любого региона России. Пн — пт: с 8.00 до 19.00; сб, вс: с 8.00 до 16.00. |
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения в каталоге НИКС — Компьютерный Супермаркет.
Информация о ценах товара и комплектации указанная на сайте не является офертой в смысле, определяемом положениями ст. 435 Гражданского Кодекса РФ.
Источник: http://nix.ru/autocatalog/memory_modules_samsung/Original-SAMSUNG-DDR3-DIMM-2Gb-PC3-10600_74558.html
Введение
Принято считать, что частота работы и задержки памяти в современных системах оказывают небольшое влияние на итоговую производительность. И вкладываться в приобретение высокоскоростных модулей памяти имеет смысл только в том случае, если быстродействие других компонентов — процессора, видеокарты, жёсткого диска — уже доведено до предела. Такое суждение родилось не на пустом месте. Действительно, тесты показывают, что максимум, который можно отвоевать улучшением параметров подсистемы памяти в платформах на базе процессоров
Phenom II
,
Core i7
или
Core i5
, это — лишь незначительная прибавка к быстродействию, в пределах 3—7 процентов.
Однако подобные выводы были сделаны давно и поэтому относятся в первую очередь к платформам прошлого поколения. Полноценного исследования о влиянии скорости работы подсистемы памяти на общую производительность конкретно в современных LGA1155-системах мы до сих пор не проводили. Переносить же старые результаты на новые платформы, базирующиеся на процессорах семейства Sandy Bridge, очевидно, не совсем корректно. Ещё во время первого знакомства с этой новаторской
микроархитектурой
мы отмечали, что реализация контроллера памяти в Sandy Bridge существенно отличается от его исполнения в более ранних процессорах класса Westmere и Nehalem. В частности, теперь контроллер памяти находится в разных функциональных блоках с L3-кэшем, а для его связи с вычислительными ядрами используется новая кольцевая шина. Всё это могло повлиять на роль подсистемы памяти в общей производительности системы как угодно. Поэтому мы решили провести специальное тестирование, в рамках которого посмотреть, какая же память оптимальнее всего подходит для LGA1155-процессоров.
Источник: http://fcenter.ru/online/hardarticles/motherboards/30981-DDR3_SDRAM_dlya_Sandy_Bridge_kakaya_pamyat_luchshe
Статические и динамические ОЗУ
Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.
Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны — когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.
Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный — 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.
Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят — регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.
Источник: http://komp.guru/tehnika/v-chem-raznitsa-v-tipah-operativnoj-pamyati-ddr3-i-ddr3l.html
Возможности
Возможности микросхем DDR3 SDRAM
- Предвыборка 8 байт
- Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
- Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
- Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
- Выполнение CAS Write Latency за такт
- Встроенная терминация данных
- Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
- Автоматическая калибровка шины данных
Возможности модулей DIMM DDR3
- Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
- Высокоточные резисторы в цепях калибровки
Источник: http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/308909
Отзывы
Мы старались сделать описание как можно более хорошим, чтобы ваш выбор был безошибочным и осознанным, но т.к. мы, возможно, этот товар не эксплуатировали, а только со всех сторон пощупали, а вы его после того, как купите, испробуете в работе, ваш отзыв может сделать этот мир лучше, если ваш отзыв действительно будет полезным, то мы его опубликуем и дадим вам возможность следующую покупку у нас сделать по 2-й колонке.
Отзывов еще нет, ваш может стать первым!
Источник: http://nix.ru/autocatalog/memory_modules_samsung/Original-SAMSUNG-DDR3-DIMM-2Gb-PC3-10600_74558.html
Возможности DDR3[править | править код]
Возможности микросхем DDR3 SDRAM[править | править код]
- Предвыборка 8 слов на каждое обращение (Prefetch buffer)[7][8]
- Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
- Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
- Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
- Выполнение CAS Write Latency за такт
- Встроенная терминация данных
- Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
- Автоматическая калибровка шины данных
Возможности модулей DIMM DDR3[править | править код]
- Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
- Высокоточные резисторы в цепях калибровки
Источник: http://intel.fandom.com/ru/wiki/DDR3_SDRAM
Модули памяти DDR3
| Название модуля | Частота шины номинальная/эффективная (МГц) |
Тип чипа | Пиковая скорость передачи данных (МБ/с) |
|---|---|---|---|
| PC3-6400 | 400/800 | DDR3-800 | 6400 |
| PC3-8500 | 533/1066 | DDR3-1066 | 8533 |
| PC3-10600 | 667/1333 | DDR3-1333 | 10667 |
| PC3-12800 | 800/1600 | DDR3-1600 | 12800 |
| PC3-14400 | 900/1800 | DDR3-1800 | 14400 |
| PC3-16000 | 1000/2000 | DDR3-2000 | 16000 |
| PC3-17000 | 1066/2133 | DDR3-2133 | 17066 |
| PC3-17600 | 1100/2200 | DDR3-2200 | 17600 |
| PC3-19200 | 1200/2400 | DDR3-2400 | 19200 |
Поделитесь статьей в соцсетях
Товар не найден!
Сбросьте фильтр или уточните запрос.
Источник: http://2hpc.ru/ddr3-sdram/
Производители микросхем и модулей памяти
По объему мировых продаж микросхем DRAM производители располагаются примерно в таком порядке: Samsung, Hynix, Elpida, Micron, Qimonda. В России кроме указанных фирм часто продаются модули памяти компаний Kingston, Transcend, Corsair, Patriot, A-Data и OCZ.
Источник: http://ru.bmstu.wiki/DDR3_SDRAM
Преимущества и недостатки
Преимущества по сравнению с DDR2
- Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБ/с)
- Меньшее энергопотребление
Недостатки по сравнению с DDR2
- Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)
Источник: http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/308909
Обзоры и статьи
Статьи FAQ, описание терминологии
- Как выбрать оперативную память?
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2133 МГц — 3200 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2133 МГц vs 2400 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2133 МГц vs 2400 МГц vs 2666 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2133 МГц vs 2666 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2133 МГц vs 3000 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2133 МГц vs 3200 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2400 МГц vs 2666 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2400 МГц vs 2933 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2400 МГц vs 3000 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2400 МГц vs 3200 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2400 МГц vs 3600 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2666 МГц vs 2933 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2666 МГц vs 3000 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2666 МГц vs 3200 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2666 МГц vs 3600 МГц
- Сравнение производительности памяти, DDR4 2666 МГц vs 4000 МГц
- Сколько нужно оперативной памяти?
Модуль памяти SAMSUNG M391 DDR4 ECC DIMM 32 Гб PC4-21300 1 шт.
Источник: http://nix.ru/autocatalog/memory_modules_samsung/Original-SAMSUNG-DDR3-DIMM-2Gb-PC3-10600_74558.html
Ссылки
- JEDEC [Электронный ресурс] : JEDEC Announces Publication of DDR3 Standard / Дата обращения: 26 октября 2016 — Режим доступа: http://www.jedec.org/news/pressreleases/publication-jedec-ddr3-sdram-standard
- Bytemag [Электронный ресурс] : Момент истины / Дата обращения: 26 октября 2016 — Режим доступа: http://www.bytemag.ru/articles/detail.php?ID=12477
- Fcenter [Электронный ресурс] : DDR3 SDRAM: революция или эволюция? / Дата обращения: 26 октября 2016 — Режим доступа: http://fcenter.ru/online/hardarticles/motherboards/21754
- Рудометов Евгений. Современное железо. Настольные, мобильные и встраиваемые компьютеры.— СПб.: БХВ-Петербург, 2010. — С. 49. — eBook ISBN 978-5-9775-0456-0.
- Соломенчук В.Г., Соломенчук П.Г. Железо ПК 2012 — Пб.: БХВ-Петербург, 2012. — С. 159-185.
- Bruce Jacob, Spencer W. Ng, and David T. Wang, with contributions by Samuel Rodriguez. Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. — Morgan Kaufmann Publishers, September 2007. — С. 476-477. — ISBN 978-0123797513.
Источник: http://ru.bmstu.wiki/DDR3_SDRAM
Характеристики для выбора
Многие характеристики неважны при выборе оперативной памяти. Основной упор следует делать на тип и частоту работы. Не забывайте проверять эти параметры на совместимость с процессором и материнской платой. Небольшим преимуществом будет пониженное энергопотребление или наличие радиатора. Хотя, практика показывает что перегрев происходит редко.
Источник: http://realadmin.ru/perefiriya/markirovka-operativnoj-pamyati.html
Производители
Набор Kingston KHX1600C9D3X2K2/8GX 8GB DDR3-1600 CL9 240-pin DIMM установленный на материнской плате ASUS P8H67
- AMD
- Corsair
- SuperTalent (USA)
- Kingston
- Patriot
- Samsung
- PQI
- NCP
- Hynix
- OCZ
Источник: http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/308909
Другие материалы по данной теме
Kingston LoVo HyperX – память с низким энергопотреблением
Выбираем DDR3-память для платформы LGA1156
Трёхканальные комплекты памяти DDR3-1600 для LGA1366-систем
Источник: http://fcenter.ru/online/hardarticles/motherboards/30981-DDR3_SDRAM_dlya_Sandy_Bridge_kakaya_pamyat_luchshe
Литература
В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8
Источник: http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/308909
Ссылки
- Как выбрать оперативную память DDR3? (рус.)
- JEDEC
- Сергей Пахомов — Энциклопедия современной памяти, «КомпьютерПресс»
Источник: http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/308909
